SiT9025
| 频率 | 1MHz -150 MHz |
|---|---|
| 频率稳定性 | ±25 ±50 ppm |
| 输出接口 | LVCMOS |
| 供电电压 (V) | 1.8, 2.5 to 3.3 |
| 温度范围 (°C) | -40 ~ 85 (Gr. 3) -40 ~ 105 (Gr. 2) -40 ~ 125 (Gr. 1) -55 ~ 125 (Ext. Cold Gr. 1) |
| 封装尺寸 (mm) | 2.0x1.6 2.5x2.0, 3.2x2.5 |
| 扩频方式 | Triangular, Hershey Kiss , Random |
| 扩频百分比（%） | Center: ±0.125 to ±2.000, Down: -0.25 to -4.00 |
| 上升/下降时间(ns) | 可配置，降低EMI |
参数范围对应不同订货选项，并非所有参数可同时组合。抖动、相位噪声等性能需结合规格书中的测试条件理解。
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