新闻与技术导读

SiTime 发布面向 AI 数据中心的 Elite 2 Super-TCXO

原始资讯日期：2026-05-04

文章涉及 SiT5234、SiT5235、SiT5434，介绍相关器件的定位或应用背景；完整条件请查看原厂资料。

原文题名：SiTime Boosts GPU Utilization in AI Data Centers with Elite 2 Super-TCXO

频率稳定性

初始误差、温漂、老化和供电/负载影响属于不同误差来源。TCXO 与 OCXO 选型还应兼顾功耗、预热时间、尺寸和应用温度。

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SiT5234；高精度温补晶振 TCXO；1 MHz ～ 60 MHz；LVCMOS；3.2 x 2.5 5.0 x 3.2；查看参数、下载原厂规格书，联系芯聚电子进行技术选型与询价。

SiT5235；高精度温补晶振 TCXO；60 MHz ～ 105 MHz；LVCMOS；3.2 x 2.5 5.0 x 3.2；查看参数、下载原厂规格书，联系芯聚电子进行技术选型与询价。

SiT5434；高精度温补晶振 TCXO；1 MHz ～ 60 MHz；LVCMOS；3.2 x 2.5 5.0 x 3.2；查看参数、下载原厂规格书，联系芯聚电子进行技术选型与询价。

SiT5435；高精度温补晶振 TCXO；60 MHz ～ 105 MHz；LVCMOS；3.2 x 2.5 5.0 x 3.2；查看参数、下载原厂规格书，联系芯聚电子进行技术选型与询价。

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