SiTime / 扩频晶振 SSXO
SiT9003
| 频率 | 1MHz - 110 MHz |
|---|---|
| 频率稳定性 | ±50 ±100 ppm |
| 输出接口 | LVCMOS |
| 供电电压 (V) | 1.8, 2.5, 2.8, 3.3 |
| 温度范围 (°C) | -20 ~ +70 -40 ~ +85 |
| 封装尺寸 (mm) | 2.5x2.0x0.75 3.2x2.5x0.75 5.0x3.2x0.75 |
| 扩频方式 | Triangular |
| 扩频百分比（%） | Center: ±0.25 to ±0.5, Down: -0.5 to -1.0 |
| 上升/下降时间(ns) | 可配置，降低EMI |
参数范围对应不同订货选项，并非所有参数可同时组合。抖动、相位噪声等性能需结合规格书中的测试条件理解。
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资料核对日期：2026-10-26