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SiTime / 抗振动冲击宽温晶振

SiT8918

SiT8918

抗振动冲击宽温晶振

面向宽温与严苛环境应用,按具体型号核对温度及可靠性条件。

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PDF · 1.44 MB · 18 页

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产品参数
频率1MHz - 110 MHz
频率稳定性±20 ±25 ±30 ±50 ppm
输出接口LVCMOS
供电电压 (V)1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63
温度范围 (°C)-40 ~ 105 -40 ~ 125
封装尺寸 (mm)2.0x1.6 2.5x2.0,3.2x2.5 5.0x3.2,7.0x5.0
相位抖动(ps)1.3ps
上升/下降时间(ns)可配置,降低EMI

参数范围对应不同订货选项,并非所有参数可同时组合。抖动、相位噪声等性能需结合规格书中的测试条件理解。

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资料核对日期:2026-10-26

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