SiTime / 高精度温补晶振 TCXO
SiT5356
| 频率 | 1MHz - 60MHz |
|---|---|
| 频率稳定性 | ±0.1 ±0.2 ±0.25 ppm |
| 输出接口 | LVCMOS/Clipped Sinewave |
| 供电电压 (V) | 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 |
| 温度范围 (°C) | -20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105 |
| 封装尺寸 (mm) | 5.0 x 3.2 |
| 相位抖动(ps) | 0.31ps |
| 牵引范围（ppm） | ±6.25 ~ ±3200 |
| 上升/下降时间(ns) | 可配置，降低EMI |
参数范围对应不同订货选项，并非所有参数可同时组合。抖动、相位噪声等性能需结合规格书中的测试条件理解。
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