SiTime / 压控晶振 VCXO
SiT3809
| 频率 | 80 - 220 MHz |
|---|---|
| 频率稳定性 | ±10 ±25 ±50 ppm |
| 输出接口 | LVCMOS |
| 供电电压 (V) | 1.8, 2.5,2.8,3.3 |
| 温度范围 (°C) | -20 ~ +70 -40 ~ +85 |
| 封装尺寸 (mm) | 2.5x2.0,3.2x2.5 5.0x3.2,7.0x5.0 |
| 相位抖动(ps) | 0.5ps |
| 牵引范围（ppm） | ±25 ~ ±1600 |
| 上升/下降时间(ns) | 可配置，降低EMI |
参数范围对应不同订货选项，并非所有参数可同时组合。抖动、相位噪声等性能需结合规格书中的测试条件理解。
资料核对日期：2026-10-26